standard: AEC-Q101, řada: NVD5C434NMOSFET NVD5C434NT4G N-kanálový 163 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
163 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
NVD5C434N
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
117 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.22mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
80,6 nC při 10 V
Automobilový standard
AEC-Q101
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 6,31
€ 3,155 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 6,31
€ 3,155 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,155 | € 6,31 |
| 20 - 198 | € 2,72 | € 5,44 |
| 200 - 998 | € 2,36 | € 4,72 |
| 1000+ | € 2,07 | € 4,14 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
163 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
NVD5C434N
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
117 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.22mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
80,6 nC při 10 V
Automobilový standard
AEC-Q101
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products