Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDetekované spektrum
Infrared
Spectrum(s) Detected
Infrared
Typický čas poklesu
15µs
Typický čas náběhu
15µs
Počet kanálů
1
Maximální proud za temna
100nA
Úhel poloviční citlivosti
80°
Počet kolíků
2
Montage-Typ
Surface Mount
Rozměry
3.2 x 2.2 x 1.1mm
Kolektorový proud
0.5mA
Maximální detekovaná vlnová délka
860nm
Spektrální rozsah citlivosti
860 nm
Länge
3.2mm
Šířka
2.2mm
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
QTLP610CPD IR Phototranzistor
Infračervený fototranzistor QTLP610CPD Fairchild Semiconductor je umístěn v pravoúhlém krytu pro povrchovou montáž (SMD). Má čirý plastový kopulový kryt.
Vlastnosti QTLP610CPD:
Silikonový fototranzistor NPN
Souprava pro povrchovou montáž s pravým úhlem
Vodou čistý kopulový kryt
Vysoká citlivost na světlo
S nízkou kapacitancí
Krátký reakční čas
IR Phototransistors, Fairchild Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDetekované spektrum
Infrared
Spectrum(s) Detected
Infrared
Typický čas poklesu
15µs
Typický čas náběhu
15µs
Počet kanálů
1
Maximální proud za temna
100nA
Úhel poloviční citlivosti
80°
Počet kolíků
2
Montage-Typ
Surface Mount
Rozměry
3.2 x 2.2 x 1.1mm
Kolektorový proud
0.5mA
Maximální detekovaná vlnová délka
860nm
Spektrální rozsah citlivosti
860 nm
Länge
3.2mm
Šířka
2.2mm
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
QTLP610CPD IR Phototranzistor
Infračervený fototranzistor QTLP610CPD Fairchild Semiconductor je umístěn v pravoúhlém krytu pro povrchovou montáž (SMD). Má čirý plastový kopulový kryt.
Vlastnosti QTLP610CPD:
Silikonový fototranzistor NPN
Souprava pro povrchovou montáž s pravým úhlem
Vodou čistý kopulový kryt
Vysoká citlivost na světlo
S nízkou kapacitancí
Krátký reakční čas