JFET TF412ST5G N-kanálový 30 V, SOT-883, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 867-3287PZnačka: onsemiČíslo dielu výrobcu: TF412ST5G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii JFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Zbytkový proud drain-source Idss

1.2 to 3mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda

-30V

Konfigurace

Single

Konfigurace tranzistoru

Single

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

SOT-883

Pinanzahl

3

Kapacitance kolektor/řídicí dioda

4pF

Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu

4pF

Abmessungen

1.08 x 0.68 x 0.41mm

Maximální ztrátový výkon

100 mW

Höhe

0.41mm

Breite

0.68mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

1.08mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový JFET, on Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,203

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

JFET TF412ST5G N-kanálový 30 V, SOT-883, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Vyberte typ balenia

€ 0,203

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

JFET TF412ST5G N-kanálový 30 V, SOT-883, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaCievka
50 - 450€ 0,203€ 10,15
500 - 950€ 0,175€ 8,75
1000 - 2450€ 0,152€ 7,59
2500 - 4950€ 0,133€ 6,67
5000+€ 0,121€ 6,07

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Zbytkový proud drain-source Idss

1.2 to 3mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda

-30V

Konfigurace

Single

Konfigurace tranzistoru

Single

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

SOT-883

Pinanzahl

3

Kapacitance kolektor/řídicí dioda

4pF

Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu

4pF

Abmessungen

1.08 x 0.68 x 0.41mm

Maximální ztrátový výkon

100 mW

Höhe

0.41mm

Breite

0.68mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

1.08mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový JFET, on Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more