Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
PanasonicTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
5 to 12mA
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-55V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SMini3 F2 B
Pinanzahl
3
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2mm
Höhe
0.8mm
Breite
1.25mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Panasonic
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
PanasonicTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
5 to 12mA
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-55V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SMini3 F2 B
Pinanzahl
3
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2mm
Höhe
0.8mm
Breite
1.25mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Panasonic
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.