Technické dokumenty
Špecifikácie
Minimální provozní teplota
-50°C
Maximální spínací výkon AC
1.25 kVA
Maximální pracovní teplota
+70°C
Spínací proud
5A
Izolace mezi vinutím a kontaktem
2kV rms
Maximální spínací napětí AC
250V ac
Materiál kontaktu
Zlatem potažené
Napětí ve vinutí
24V dc
Montage-Typ
PCB Mount
Typ svorky
Through Hole
Konfigurace kontaktů
4PDT
Délka
20.8mm
Životnost
100000000 cyklů (mechanické, DC), 200000 cyklů (elektrické), 50000000 cyklů (mechanické, AC)
Hloubka
27.2mm
Výkon vinutí
900mW
Výška
35.2mm
Odpor cívky
650 <Ω/>
Brand
PanasonicKrajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, řada IXYS
Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.
Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Minimální provozní teplota
-50°C
Maximální spínací výkon AC
1.25 kVA
Maximální pracovní teplota
+70°C
Spínací proud
5A
Izolace mezi vinutím a kontaktem
2kV rms
Maximální spínací napětí AC
250V ac
Materiál kontaktu
Zlatem potažené
Napětí ve vinutí
24V dc
Montage-Typ
PCB Mount
Typ svorky
Through Hole
Konfigurace kontaktů
4PDT
Délka
20.8mm
Životnost
100000000 cyklů (mechanické, DC), 200000 cyklů (elektrické), 50000000 cyklů (mechanické, AC)
Hloubka
27.2mm
Výkon vinutí
900mW
Výška
35.2mm
Odpor cívky
650 <Ω/>
Brand
PanasonicKrajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, řada IXYS
Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.
Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.