řada: BSMNapájecí modul SiC BSM300D12P2E001 N-kanálový 300 A 1200 V, C, počet kolíků: 4 dvojitý SiC
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1200 V
Řada
BSM
Gehäusegröße
c
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Maximální ztrátový výkon
1875 W
Počet prvků na čip
2
Breite
57.95mm
Länge
152mm
Materiál tranzistoru
SiC
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Höhe
17mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 3 784,63
€ 946,158 Each (In a Tray of 4) (bez DPH)
4
€ 3 784,63
€ 946,158 Each (In a Tray of 4) (bez DPH)
4
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1200 V
Řada
BSM
Gehäusegröße
c
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Maximální ztrátový výkon
1875 W
Počet prvků na čip
2
Breite
57.95mm
Länge
152mm
Materiál tranzistoru
SiC
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Höhe
17mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products