Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronDauer-Kollektorstrom max.
1.1 kA
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
20V
Gehäusegröße
SEMiX®3p
Konfiguration
Series
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
11
Konfigurace tranzistoru
Series
Abmessungen
150 x 62.4 x 17mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Podrobnosti o výrobku
Duální IGBT moduly SEmiX®
Duální IGBT moduly Semikron v moderních nízkoprofilových balíčcích SEmiX® vhodných pro aplikace řízení výkonu na polovině můstku. Moduly používají pájecí pružinu nebo lisované kontakty, které umožňují montáž ovladače uzávěru přímo na Top modulu, čímž šetří místo a nabízejí větší spolehlivost připojení. Mezi typické aplikace patří převodníky střídavého proudu, UPS, elektronické svařovací a obnovitelné energetické systémy.
Vhodné moduly ovladače zadních výklopných dveří pro zalisování viz 122-0385 až 122-0387
Montážní sada bez pájených profilů
Trenchgate technologie IGBT
VCE(sat) má kladný teplotní koeficient
Možnost vysokého zkratového proudu
Nalisujte kolíky jako pomocné kontakty
uznána organizací UL
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 387,32
Each (bez DPH)
1
€ 387,32
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 1 | € 387,32 |
2+ | € 379,59 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronDauer-Kollektorstrom max.
1.1 kA
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
20V
Gehäusegröße
SEMiX®3p
Konfiguration
Series
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
11
Konfigurace tranzistoru
Series
Abmessungen
150 x 62.4 x 17mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Podrobnosti o výrobku
Duální IGBT moduly SEmiX®
Duální IGBT moduly Semikron v moderních nízkoprofilových balíčcích SEmiX® vhodných pro aplikace řízení výkonu na polovině můstku. Moduly používají pájecí pružinu nebo lisované kontakty, které umožňují montáž ovladače uzávěru přímo na Top modulu, čímž šetří místo a nabízejí větší spolehlivost připojení. Mezi typické aplikace patří převodníky střídavého proudu, UPS, elektronické svařovací a obnovitelné energetické systémy.
Vhodné moduly ovladače zadních výklopných dveří pro zalisování viz 122-0385 až 122-0387
Montážní sada bez pájených profilů
Trenchgate technologie IGBT
VCE(sat) má kladný teplotní koeficient
Možnost vysokého zkratového proudu
Nalisujte kolíky jako pomocné kontakty
uznána organizací UL
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.