Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronDauer-Kollektorstrom max.
130 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
20V
Počet tranzistorů
2
Gehäusegröße
SEMITRANS2
Konfiguration
Dual
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Typ kanálu
N
Počet kolíků
7
Konfigurace tranzistoru
Poloviční můstek
Abmessungen
94 x 34 x 30.5mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
Slovakia
Podrobnosti o výrobku
Duální moduly IGBT
Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.
Kompaktní balíček SEMITOP®
Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz
Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronDauer-Kollektorstrom max.
130 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
20V
Počet tranzistorů
2
Gehäusegröße
SEMITRANS2
Konfiguration
Dual
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Typ kanálu
N
Počet kolíků
7
Konfigurace tranzistoru
Poloviční můstek
Abmessungen
94 x 34 x 30.5mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
Slovakia
Podrobnosti o výrobku
Duální moduly IGBT
Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.
Kompaktní balíček SEMITOP®
Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz
Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.