Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Gehäusegröße
SOT-32
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,509
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 0,509
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,509 | € 5,09 |
100 - 490 | € 0,356 | € 3,56 |
500 - 990 | € 0,307 | € 3,07 |
1000 - 1990 | € 0,263 | € 2,63 |
2000+ | € 0,251 | € 2,51 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Gehäusegröße
SOT-32
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.