Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT-32
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Höhe
10.8mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
7.8mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Breite
2.7mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,422
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 0,422
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,422 | € 21,11 |
100 - 200 | € 0,316 | € 15,80 |
250 - 450 | € 0,307 | € 15,34 |
500 - 950 | € 0,268 | € 13,39 |
1000+ | € 0,217 | € 10,87 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT-32
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Höhe
10.8mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
7.8mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Breite
2.7mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.