Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
IPAK
Maximální stejnosměrný propustný proud
30A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
100V
Diodová konfigurace
Single
Typ usměrňovače
Schottkyho usměrňovač
Typ diody
Schottky
Počet kolíků
3
Maximální pokles propustného napětí
745mV
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
Silicon Junction
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
150A
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
75
P.O.A.
75
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
IPAK
Maximální stejnosměrný propustný proud
30A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
100V
Diodová konfigurace
Single
Typ usměrňovače
Schottkyho usměrňovač
Typ diody
Schottky
Počet kolíků
3
Maximální pokles propustného napětí
745mV
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
Silicon Junction
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
150A