Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A
Kollektor-Emitter-
350 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.8 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
500µA
Maximální ztrátový výkon
100 W
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.6mm
Höhe
6.2mm
Breite
2.4mm
Abmessungen
6.6 x 2.4 x 6.2mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,31
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 0,31
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A
Kollektor-Emitter-
350 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.8 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
500µA
Maximální ztrátový výkon
100 W
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.6mm
Höhe
6.2mm
Breite
2.4mm
Abmessungen
6.6 x 2.4 x 6.2mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.