řada: STripFET F7MOSFET STB100N6F7 N-kanálový 100 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET F7
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12,6 nC při 10 V
Breite
9.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 8,40
€ 1,68 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 8,40
€ 1,68 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,68 | € 8,40 |
| 10 - 95 | € 1,42 | € 7,10 |
| 100 - 495 | € 1,066 | € 5,33 |
| 500+ | € 0,90 | € 4,50 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET F7
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12,6 nC při 10 V
Breite
9.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products