Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
70 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V až 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 1 491,00
€ 0,596 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 491,00
€ 0,596 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
2500 - 2500 | € 0,596 | € 1 491,00 |
5000+ | € 0,542 | € 1 353,83 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
70 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku