Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
165 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
60 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 5,84
€ 5,84 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
€ 5,84
€ 5,84 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
165 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
60 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku