řada: STripFET F7MOSFET STL90N6F7 N-kanálový 90 A 60 V, PowerFLAT 5 x 6, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET F7
Gehäusegröße
PowerFLAT 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
94 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.35mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Höhe
0.95mm
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,706
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,706
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET F7
Gehäusegröße
PowerFLAT 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
94 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.35mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Höhe
0.95mm
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products