řada: DeepGate, STripFETMOSFET STS5NF60L N-kanálový 5 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Řada
DeepGate, STripFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
55 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17 nC při 5 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.65mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 7,99
€ 0,799 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 7,99
€ 0,799 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,799 | € 7,99 |
| 50 - 90 | € 0,76 | € 7,60 |
| 100 - 240 | € 0,683 | € 6,83 |
| 250 - 490 | € 0,616 | € 6,16 |
| 500+ | € 0,584 | € 5,84 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Řada
DeepGate, STripFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
55 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17 nC při 5 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.65mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products