řada: MDmesh, SuperMESHMOSFET STW10NK80Z N-kanálový 9 A 800 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 485-8572Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STW10NK80Z
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

800 V

Gehäusegröße

TO-247

Řada

MDmesh, SuperMESH

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

900 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

160 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

15.75mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

72 nC při 10 V

Höhe

20.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800VZnačka: Toshiba
P.O.A.Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 5,14

€ 5,14 Each (bez DPH)

řada: MDmesh, SuperMESHMOSFET STW10NK80Z N-kanálový 9 A 800 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 5,14
2€ 10,28
3€ 15,42
4€ 20,56
5€ 25,70
6€ 30,84
7€ 35,98
8€ 41,12
9€ 46,26
10€ 46,40
11€ 51,04
12€ 55,68
13€ 60,32
14€ 64,96
15€ 69,60

€ 5,14

€ 5,14 Each (bez DPH)

řada: MDmesh, SuperMESHMOSFET STW10NK80Z N-kanálový 9 A 800 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 5,14
2€ 10,28
3€ 15,42
4€ 20,56
5€ 25,70
6€ 30,84
7€ 35,98
8€ 41,12
9€ 46,26
10€ 46,40
11€ 51,04
12€ 55,68
13€ 60,32
14€ 64,96
15€ 69,60

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cena
1 - 9€ 5,14
10 - 24€ 4,64
25 - 99€ 4,38
100 - 499€ 3,49
500+€ 3,11

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800VZnačka: Toshiba
P.O.A.Each (bez DPH)

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

800 V

Gehäusegröße

TO-247

Řada

MDmesh, SuperMESH

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

900 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

160 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

15.75mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

72 nC při 10 V

Höhe

20.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800VZnačka: Toshiba
P.O.A.Each (bez DPH)