řada: MDmesh DM2MOSFET STW56N60DM2 N-kanálový 50 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
60 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
360 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
90 nC při 10 V
Breite
5.15mm
Počet prvků na čip
1
Höhe
20.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 193,19
€ 6,44 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 193,19
€ 6,44 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
60 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
360 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
90 nC při 10 V
Breite
5.15mm
Počet prvků na čip
1
Höhe
20.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products