Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
1mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
20.15mm
Abmessungen
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
15.75mm
Breite
5.15mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,46
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
€ 1,46
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 1,46 |
10 - 99 | € 1,23 |
100 - 249 | € 0,93 |
250 - 499 | € 0,90 |
500+ | € 0,79 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
1mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
20.15mm
Abmessungen
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
15.75mm
Breite
5.15mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.