Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
50 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,5 nC při 10 V
Breite
6.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.13V
Höhe
2.28mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
50 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,5 nC při 10 V
Breite
6.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.13V
Höhe
2.28mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C