Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
273 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
120 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 4,90
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
1
€ 4,90
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 4 | € 4,90 |
5 - 9 | € 4,65 |
10 - 24 | € 4,18 |
25 - 49 | € 3,77 |
50+ | € 3,58 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
273 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
120 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku