řada: NexFETMOSFET CSD19534KCS N-kanálový 100 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
118 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.7mm
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,1 nC při 0 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Počet prvků na čip
1
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 47,49
€ 0,95 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 47,49
€ 0,95 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,95 | € 47,49 |
| 100 - 200 | € 0,855 | € 42,74 |
| 250 - 450 | € 0,807 | € 40,37 |
| 500 - 700 | € 0,773 | € 38,65 |
| 750+ | € 0,754 | € 37,70 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
118 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.7mm
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,1 nC při 0 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Počet prvků na čip
1
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products