Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
259 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
118 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.51mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 8,90
€ 4,45 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 8,90
€ 4,45 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
2 - 24 | € 4,45 | € 8,90 |
26+ | € 3,61 | € 7,22 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
259 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
118 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.51mm
Podrobnosti o výrobku