Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
50 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
18
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Anzahl der Elemente pro Chip
8
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
2.35mm
Abmessungen
11.62 x 7.52 x 2.35mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
11.62mm
Breite
7.52mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Pole s tranzistorem Darlington, Texas Instruments
Řada tranzistorových polí Darlington od společnosti Texas Instruments je vhodná pro širokou řadu aplikací budičů se středním až vysokým proudem.
Darlington Transistor Drivers
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
50 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
18
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Anzahl der Elemente pro Chip
8
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
2.35mm
Abmessungen
11.62 x 7.52 x 2.35mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
11.62mm
Breite
7.52mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Pole s tranzistorem Darlington, Texas Instruments
Řada tranzistorových polí Darlington od společnosti Texas Instruments je vhodná pro širokou řadu aplikací budičů se středním až vysokým proudem.