řada: TKMOSFET TK100E10N1 N-kanálový 207 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 168-7770Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TK100E10N1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

207 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

TK

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3,4 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Maximální ztrátový výkon

255 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.45mm

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10.16mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

140 nC při 10 V

Höhe

15.1mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1,754

Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: TKMOSFET TK100E10N1 N-kanálový 207 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

50

Dostupné v násobkoch 50
50€ 87,68
100€ 175,36
150€ 263,04
200€ 350,72
250€ 438,40
300€ 526,08
350€ 613,76
400€ 701,44
450€ 789,12
500€ 876,80
550€ 964,48
600€ 1 052,16
650€ 1 139,84
700€ 1 227,52
750€ 1 315,20

€ 1,754

Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: TKMOSFET TK100E10N1 N-kanálový 207 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

50

Dostupné v násobkoch 50
50€ 87,68
100€ 175,36
150€ 263,04
200€ 350,72
250€ 438,40
300€ 526,08
350€ 613,76
400€ 701,44
450€ 789,12
500€ 876,80
550€ 964,48
600€ 1 052,16
650€ 1 139,84
700€ 1 227,52
750€ 1 315,20

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

207 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

TK

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3,4 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Maximální ztrátový výkon

255 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.45mm

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10.16mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

140 nC při 10 V

Höhe

15.1mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more