řada: DTMOSIVMOSFET TK10A60W,S4VX(M N-kanálový 9,7 A 600 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 Si

Skladové číslo RS: 125-0532Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TK10A60W,S4VX(M
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9.7 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Řada

DTMOSIV

Gehäusegröße

TO-220SIS

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

380 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.7V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.7V

Maximální ztrátový výkon

30 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

4.5mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

20 nC při 10 V

Höhe

15mm

Propustné napětí diody

1.7V

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1,07

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: DTMOSIVMOSFET TK10A60W,S4VX(M N-kanálový 9,7 A 600 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 Si

5

Dostupné v násobkoch 5
5€ 5,35
10€ 10,70
15€ 16,05
20€ 21,40
25€ 17,35
30€ 20,82
35€ 24,29
40€ 27,76
45€ 31,23
50€ 33,80
55€ 37,18
60€ 40,56
65€ 43,94
70€ 47,32
75€ 50,70

€ 1,07

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: DTMOSIVMOSFET TK10A60W,S4VX(M N-kanálový 9,7 A 600 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

5

Dostupné v násobkoch 5
5€ 5,35
10€ 10,70
15€ 16,05
20€ 21,40
25€ 17,35
30€ 20,82
35€ 24,29
40€ 27,76
45€ 31,23
50€ 33,80
55€ 37,18
60€ 40,56
65€ 43,94
70€ 47,32
75€ 50,70

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaBalík
5 - 20€ 1,07€ 5,35
25 - 45€ 0,694€ 3,47
50 - 120€ 0,676€ 3,38
125 - 245€ 0,658€ 3,29
250+€ 0,64€ 3,20

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9.7 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Řada

DTMOSIV

Gehäusegröße

TO-220SIS

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

380 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.7V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.7V

Maximální ztrátový výkon

30 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

4.5mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

20 nC při 10 V

Höhe

15mm

Propustné napětí diody

1.7V

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more