řada: TKMOSFET TK12P60W,RVQ(S N-kanálový 11,5 A 600 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
340 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.1mm
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.3mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2 919,77
€ 1,46 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
€ 2 919,77
€ 1,46 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
340 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.1mm
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.3mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products