řada: TKMOSFET TK35E08N1 N-kanálový 55 A 80 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
55 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
72 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 34,45
€ 0,689 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 34,45
€ 0,689 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
55 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
72 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products