Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
TK
Gehäusegröße
DP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Maximální ztrátový výkon
47 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 5 V, 29 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
2.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 1,16
€ 1,16 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
1
€ 1,16
€ 1,16 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 4 | € 1,16 |
5 - 9 | € 1,12 |
10 - 49 | € 1,08 |
50 - 99 | € 1,03 |
100+ | € 0,99 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
TK
Gehäusegröße
DP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Maximální ztrátový výkon
47 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 5 V, 29 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
2.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku