Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
105 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46 nC při 10 V
Höhe
15.1mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 7,16
€ 1,432 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 7,16
€ 1,432 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
105 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46 nC při 10 V
Höhe
15.1mm
Podrobnosti o výrobku