řada: DTMOSIVMOSFET TK6P65W,RQ(S N-kanálový 5,8 A 650 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,05 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
60 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
6.1mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 10 V
Höhe
2.3mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 6,05
€ 0,605 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 6,05
€ 0,605 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,605 | € 6,05 |
| 50 - 90 | € 0,543 | € 5,43 |
| 100 - 490 | € 0,527 | € 5,27 |
| 500 - 990 | € 0,506 | € 5,06 |
| 1000+ | € 0,492 | € 4,92 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,05 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
60 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
6.1mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 10 V
Höhe
2.3mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products