řada: TKMOSFET TK9J90E N-kanálový 9 A 900 V, TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Länge
15.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.5mm
Höhe
20mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-channel, řada TK8 a TK9, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 75,08
€ 3,003 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
€ 75,08
€ 3,003 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Länge
15.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.5mm
Höhe
20mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-channel, řada TK8 a TK9, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products