Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTopologie výkonového spínače
Low Side
Typ zapínání napájení
Spínač Low Side
Zapínací odpor
0.9Ω
Maximální provozní napájecí napětí
7 V
Počet výstupů
2
Jmenovitý výkon
2W
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOP, SOP
Pinanzahl
8
Maximální pracovní teplota
+110 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Abmessungen
5.5 x 4.4 x 1.4mm
Podrobnosti o výrobku
Inteligentní napájecí zařízení Toshiba (IPD)
Model TPD1030F je spínač dolní polohy 2 v 1
TPD2005F je 8kanálové pole přepínače na vysoké úrovni
TPD2007F je 8kanálové pole nízkosměrového přepínače
Přepínací aplikace pro motory, elektromagnety a budiče kontrolek
Power and Load Switches, Toshiba
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,37
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 1,37
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTopologie výkonového spínače
Low Side
Typ zapínání napájení
Spínač Low Side
Zapínací odpor
0.9Ω
Maximální provozní napájecí napětí
7 V
Počet výstupů
2
Jmenovitý výkon
2W
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOP, SOP
Pinanzahl
8
Maximální pracovní teplota
+110 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Abmessungen
5.5 x 4.4 x 1.4mm
Podrobnosti o výrobku
Inteligentní napájecí zařízení Toshiba (IPD)
Model TPD1030F je spínač dolní polohy 2 v 1
TPD2005F je 8kanálové pole přepínače na vysoké úrovni
TPD2007F je 8kanálové pole nízkosměrového přepínače
Přepínací aplikace pro motory, elektromagnety a budiče kontrolek
Power and Load Switches, Toshiba
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.