Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 mA, 300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SC-89-6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω, 8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1700 nC při 15 V, 750 nC při 4,5 V
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,15
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 0,15
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 mA, 300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SC-89-6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω, 8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1700 nC při 15 V, 750 nC při 4,5 V
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Podrobnosti o výrobku