MOSFET SI1029X-T1-GE3 N/P-kanálový-kanálový 190 mA, 300 mA 60 V, SC-89-6, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 mA, 300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SC-89-6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω, 8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
1.7mm
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1700 nC při 15 V, 750 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 8,66
€ 0,433 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 8,66
€ 0,433 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,433 | € 8,66 |
| 200 - 480 | € 0,408 | € 8,15 |
| 500 - 980 | € 0,368 | € 7,37 |
| 1000 - 1980 | € 0,347 | € 6,94 |
| 2000+ | € 0,325 | € 6,50 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 mA, 300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SC-89-6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω, 8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
1.7mm
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1700 nC při 15 V, 750 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products