MOSFET SI1032R-T1-GE3 N-kanálový 200 mA 20 V, SC-75, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
280 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Počet prvků na čip
1
Breite
0.86mm
Länge
1.68mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
750 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 284,53
€ 0,095 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 284,53
€ 0,095 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
280 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Počet prvků na čip
1
Breite
0.86mm
Länge
1.68mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
750 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products