Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
165 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,13
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 0,13
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
165 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku