řada: TrenchFETMOSFET SI3477DV-T1-GE3 P-kanálový 8 A 12 V, TSOP-6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
TSOP-6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
33 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
4,2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
58 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET P-kanál, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 87,60
€ 0,438 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
200
€ 87,60
€ 0,438 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
200
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,438 | € 8,76 |
| 500 - 980 | € 0,419 | € 8,38 |
| 1000 - 1980 | € 0,372 | € 7,44 |
| 2000+ | € 0,35 | € 7,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
TSOP-6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
33 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
4,2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
58 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET P-kanál, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products