MOSFET SI4178DY-T1-GE3 N-kanálový 12 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
33 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 10 V
Höhe
1.55mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 66,70
€ 0,334 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
200
€ 66,70
€ 0,334 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
200
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,334 | € 6,67 |
| 500 - 980 | € 0,313 | € 6,26 |
| 1000 - 1980 | € 0,271 | € 5,42 |
| 2000+ | € 0,226 | € 4,51 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
33 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 10 V
Höhe
1.55mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products