MOSFET SI7288DP-T1-GE3 N-kanálový 20 A 40 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 818-1390Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI7288DP-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

20 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

22 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

15.6 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

5mm

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5.99mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Počet prvků na čip

2

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 11,76

€ 1,176 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET SI7288DP-T1-GE3 N-kanálový 20 A 40 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

€ 11,76

€ 1,176 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET SI7288DP-T1-GE3 N-kanálový 20 A 40 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaBalík
10 - 90€ 1,176€ 11,76
100 - 240€ 1,117€ 11,17
250 - 490€ 0,941€ 9,41
500 - 990€ 0,882€ 8,82
1000+€ 0,823€ 8,23

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

20 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

22 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

15.6 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

5mm

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5.99mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Počet prvků na čip

2

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more