MOSFET SI9407BDY-T1-GE3 P-kanálový 3,8 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 818-1444PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI9407BDY-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

150 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

14,5 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.55mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 78,25

€ 0,782 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI9407BDY-T1-GE3 P-kanálový 3,8 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 78,25

€ 0,782 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI9407BDY-T1-GE3 P-kanálový 3,8 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

MnožstvoJednotková cenaCievka
100 - 180€ 0,782€ 15,65
200 - 480€ 0,72€ 14,41
500 - 980€ 0,566€ 11,33
1000+€ 0,535€ 10,70

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

150 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

14,5 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.55mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more