Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.26mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
87 nC při 10 V
Höhe
1.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-kanál, TrenchFET až do Gen III, Vishay polovodič
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
5
P.O.A.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.26mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
87 nC při 10 V
Höhe
1.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku