Adaptér zásuvky IC, orientace těla: přímý, Průchozí otvor 8 kolíků samice QFN k 8 kolíků samec DIP, rozteč: 1.27 mm,
Technické dokumenty
Špecifikácie
První konec pohlaví
Samice
Druhý konec typ
DIP
Druhý konec pohlaví
Male
Druhý konec počet kontaktů
8
První konec typ
QFN
První konec počet kontaktů
8
Orientace těla
Straight
Druhý konec
8 kolíků samec DIP
Rozteč
1.27 mm, 2.54 mm
První konec
8 kolíků samice QFN
Montage-Typ
Through Hole
Brand
WinslowKrajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku
IGBT pro automobilové Fairchild Semiconductor
Tato zařízení EcoSPARK IGBT jsou optimalizována pro řízení automobilových zapalovacích cívek. Byly testovány na stres a splňují standard AEC-Q101.
Charakteristiky
• Pohon zadní stěny na úrovni logiky
• Ochrana ESD
• Aplikace: Obvody ovladače zapalovacích cívek Coil-on-Plug
Kódy RS
864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2
7-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 6,97
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 6,97
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 120 | € 6,97 | € 34,85 |
| 125 - 370 | € 6,27 | € 31,35 |
| 375 - 995 | € 5,56 | € 27,80 |
| 1000 - 1995 | € 4,88 | € 24,40 |
| 2000+ | € 4,53 | € 22,65 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
První konec pohlaví
Samice
Druhý konec typ
DIP
Druhý konec pohlaví
Male
Druhý konec počet kontaktů
8
První konec typ
QFN
První konec počet kontaktů
8
Orientace těla
Straight
Druhý konec
8 kolíků samec DIP
Rozteč
1.27 mm, 2.54 mm
První konec
8 kolíků samice QFN
Montage-Typ
Through Hole
Brand
WinslowKrajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku
IGBT pro automobilové Fairchild Semiconductor
Tato zařízení EcoSPARK IGBT jsou optimalizována pro řízení automobilových zapalovacích cívek. Byly testovány na stres a splňují standard AEC-Q101.
Charakteristiky
• Pohon zadní stěny na úrovni logiky
• Ochrana ESD
• Aplikace: Obvody ovladače zapalovacích cívek Coil-on-Plug
Kódy RS
864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2
7-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products