MOSFET DMC3021LSD-13 N/P-kanálový-kanálový 7 A, 8,5 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7 A, 8.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
32 mΩ, 53 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16,1 nC při 10 V, 21,1 nC při 4,5 V
Breite
3.95mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
4.95mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 38,30
€ 0,306 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
125
€ 38,30
€ 0,306 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
125
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 125 - 600 | € 0,306 | € 7,66 |
| 625 - 1225 | € 0,255 | € 6,37 |
| 1250+ | € 0,205 | € 5,12 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7 A, 8.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
32 mΩ, 53 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16,1 nC při 10 V, 21,1 nC při 4,5 V
Breite
3.95mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
4.95mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products