MOSFET DMC3026LSD-13 N/P-kanálový-kanálový 8,2 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 921-1029PZnačka: DiodesZetexČíslo dielu výrobcu: DMC3026LSD-13
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8.2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

29 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.6 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

3.95mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Länge

4.95mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

13,2 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 7,86

€ 0,393 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET DMC3026LSD-13 N/P-kanálový-kanálový 8,2 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

€ 7,86

€ 0,393 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET DMC3026LSD-13 N/P-kanálový-kanálový 8,2 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8.2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

29 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.6 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

3.95mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Länge

4.95mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

13,2 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more