MOSFET DMN2300UFB4-7B N-kanálový 1,3 A 20 V, X2-DFN1006, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
X2-DFN1006
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.95V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Breite
0.65mm
Länge
1.05mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,6 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.35mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 540,00
€ 0,054 Each (On a Reel of 10000) (bez DPH)
10000
€ 540,00
€ 0,054 Each (On a Reel of 10000) (bez DPH)
10000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
X2-DFN1006
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.95V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Breite
0.65mm
Länge
1.05mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,6 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.35mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products