Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
61 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
8.49 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.22mm
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,2 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 491,77
€ 0,197 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 491,77
€ 0,197 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
61 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
8.49 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.22mm
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,2 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku