Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.12 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.95V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 8,58
€ 0,343 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 8,58
€ 0,343 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.12 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.95V
Podrobnosti o výrobku