Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
10,1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
7.67mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
2.39mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 1 806,70
€ 0,723 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 806,70
€ 0,723 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
10,1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
7.67mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
2.39mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku